株式会社钟化其他二审行政判决书

审理经过

上诉人叶*因发明专利权无效行政纠纷一案，不服中华人民**级人民法院（简称北京**人民法院）（2013）一中知行初字第1096号行政判决，向本院提出上诉。本院2014年6月9日受理本案后，依法组成合议庭，于2014年10月30日公开开庭进行了审理。上诉人叶*的委托代理人陈*、汤*，被上诉人株式会社钟化的委托代理人彭**、岳**，原审被告国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人熊*、王**到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。

一审法院查明

北京**人民法院经审理查明：

本专利涉及中华人**识产权局于2008年09月17日授权公告的名称为“层积型光电变换装置”、专利号为200480001413.6的发明专利（简称本专利），其申请日为2004年07月15日，专利权人为株式会社钟化。

本专利授权公告的权利要求书如下：

“1、一种层积型光电变换装置，其特征在于，在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5），相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元（3）内的反向导电型层（33）和邻接该前方光电变换单元（3）配置的后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层（4），所述硅复合层（4）具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

2、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，所述富硅相含有硅晶体相。

3、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，所述富硅相含有掺杂的非晶质硅。

4、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，所述硅复合层对波长600nm的光的折射率为1.7～2.5。

5、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，所述衬底透明，通过该衬底入射到所述层积的光电变换单元的光的反射光谱在波长5O0nm～800nm的范围内分别具有至少一个反射率的极大值和极小值，所述极大值和所述极小值的差等于或大于1％。

6、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，所述硅复合层的暗电导率为10-8S／cm~10-1S／cm。

7、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，在所述硅复合层中，由拉*散射测定的基于晶体硅相的TO模式峰值相对于基于所述非晶质合金相的TO模式峰值的强度比为0.5～10。

8、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，所述硅复合层的光学间隙等于或大于2.2eV。

9、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，在所述硅复合层中，受到X线光电子光谱法测定的Ols的带间激励损失的光电子的最上端能量和Ols光电子的峰值能量的能量差等于或大于2.2eV。

10、如权利要求1所述的层积型光电变换装置，其特征在于，所述硅复合层中的掺杂剂原子浓度在3×l020～1.8×1021cm-3的范围内。

11、一种用于制造如权利要求1所述的层积型光电变换装置的制造方法，其特征在于，在等离子CVD反应室内堆积到所述硅复合层的全部厚度的一部分后，暂时将所述衬底取出到大气中，将所述硅复合层的表面暴露在大气中，然后，将所述衬底导入等离子CVD反应室内，堆积所述硅复合层的全部厚度的剩余部分。

12、如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在将所述硅复合层堆积到其全部厚度的60％以上后，将所述衬底从所述等离子CVD反应室取出到大气中。

13、一种用于如制造权利要求1所述的层积型光电变换装置的制造方法，其特征在于，在等离子CVD反应室内堆积所述硅复合层时掺杂原料气体相对于硅原料气体的体积比处于0.012～0.07的范围。

14、一种集成型光电变换模块，其特征在于，在衬底（102）上顺序层积的第一电极层（103）、多个光电变换单元层（104a、104b）、及第二电极层（106）被多个分离槽（121、122）分离，以形成多个光电变换元件（l10），且这些元件介由多个连接槽（123）相互串联电连接，在各所述光电变换元件上从光入射侧顺序层积一导电型层、实质本征半导体的光电变换层、及含有反向导电型层的多个光电变换单元，相对地配置于光入射侧的前方的所述光电变换单元（104a）内的所述反向导电型层和邻接该前方光电变换单元配置的后方的所述光电变换单元（104b）内的所述一导电型层中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层（107），所述硅复合层（107）具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

15、如权利要求14所述的集成型光电变换模块，其特征在于，所述第一电极层（103）由多个第一分离槽（121）分离成对应所述多个光电变换元件（110）的多个区域，所述多个光电变换单元层（104a、104b）和所述第二电极层（106）由多个第二分离槽（l22）分离成对应所述多个元件的多个区域，用于电连接相互相邻的所述元件的所述第一电极和所述第二电极的连接槽（123）设置在所述第一分离槽（121）和所述第二分离槽（122）之间。”

本专利说明书记载：薄膜光电变换装置通常表面上含有在绝缘性衬底上顺序层积的第一电极、一个以上半导体薄膜光电变换单元、及第二电极。而且，一个薄膜光电变换单元含有由p型层和n型层形成层状结构的i型层。在层积型光电变换装置中，现有技术为在前后两个光电变换单元之间设置TCO中间反射层，但会产生制造成本升高的问题。在基于具有中间反射层的结构形成集成型光电变换模块时，需要设置第一分离槽、第二分离槽、连接槽，但会产生泄漏电流，导致光电变换模块的特性低下的问题，而为了解决该问题设置第三分离槽又会导致生产成本和时间的增加，同时也会使中间反射层和后方光电变换模块的界面有可能因暴露于大气而污染，也会带来有效的光电变换区域的面积损耗增加的问题。（参见本专利说明书背景技术部分）为解决该技术问题，本专利在两个光电变换单元之间设置硅复合层，取代现有技术中的中间反射层，该硅复合层可降低层积型光电变换装置的生产成本和时间，避免因设置第三分离槽造成的光电变换效率的降低（参见本专利说明书第8页第6段-第9页第1段）。

2012年02月24日，叶*针对本专利权向专利复审委员会提出无效宣告请求，认为本专利权利要求1-15不符合2000年修正的《中华人民共和国专利法》（简称《专利法》）第二十六条第三款、第四款的规定，请求宣告本专利权全部无效，并提交了本专利说明书复印件，共64页。

叶*主张的无效理由如下：本专利权利要求1记载了如下的技术方案“一种层积型光电变换装置，其特征在于，在衬底上从光入射侧顺序层积一导电型层、实质本征半导体的光电变换层及含有反向导电型层的多个光电变换单元，……”，其中层积型光电变换装置中，在衬底和光电变换单元之间，夹着一导电型层和实质本征半导体的光电变换层。而本专利说明书中所公开的层积型光电变换装置中在衬底与光电变换单元之间仅仅存在电极层。因此，本领域技术人员按照本专利说明书记载的内容，无法得到或者概括得出在衬底与光电变换单元之间除了电极之外还另外设置一导电型层和实质本征半导体光电变换层的技术方案，并且，本领域技术人员无法理解在衬底和光电变换单元之间设置一导电型层和实质本征半导体光电变换层能够解决本专利要解决的技术问题并获得预期的技术效果。本领域技术人员结合公知常识有理由怀疑，本专利权利要求1的结构无法实现光电变换，继而导致整个层积型光电变换装置不能正常工作，因此本专利说明书未能充分公开权利要求1的技术方案，权利要求1也得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第三款、第四款的规定。从属权利要求2-10以及其他独立权利要求及其从属权利要求也存在同样缺陷，因此权利要求2-15也不符合《专利法》第二十六条第三款、第四款的规定。

2012年04月23日，株式会社钟化提交了意见陈述书，其中未对专利文件进行修改，仅陈述了如下意见：本专利权利要求1中表述的结构实质上是本专利说明书附图10表述的结构，其原因在于：1、本领域技术人员根据权利要求1中的记载“相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元（3）内的反向导电型层（33）和邻接该前方光电变换单元（3）配置的后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）”可以直接、毫无疑义地确定一导电型层、反向导电型层均为光电变换单元的一部分。2、根据权利要求1的记载，多个光电变换单元的附图标记分别为3、5，而一导电型层标为31、51，实质本征半导体的光电变换层标为32、52，反向导电型层标为33、53，本领域技术人员从附图标记的标注方式就能够确定，一导电型层31、实质本征半导体的光电变换层32、反向导电型层33为光电变换单元3的组成部分，一导电型层51、实质本征半导体的光电变换层52、反向导电型层53为光电变换单元5的组成部分。3、本领域技术人员能够直接确定光电变换单元的基本结构为一导电型层、光电变换层、以及反向导电型层构成的层状结构。因此，权利要求1描述的结构中，光电变换单元3含有一导电型层31、实质本征半导体的光电变换层32、反向导电型层33，光电变换单元5含有一导电型层51、实质本征半导体的光电变换层52、反向导电型层53。该结构与说明书中的结构完全一致，因此，权利要求1-15符合《专利法》第二十六条第三款、第四款的规定。

2012年06月19日，叶*提交意见陈述书，陈述如下意见：1、本专利权利要求1所要求保护的层积型光电变换装置，不同于本专利说明书附图10描述的光电变换装置，虽然本领域技术人员按照说明书发明内容部分以及权利要求1记载的内容，能够意识到权利要求1的技术方案所采用的技术手段，但是，采用该手段并不能解决本专利要解决的技术问题，权利要求1中的一导电型层和实质本征半导体光电变换层不能构成说明书中所述的“光电变换单元”，也不能实现光电变换的效果；相反，它们会阻碍所述多个光电变换单元产生的电流顺利流入电极并且被电极收集，降低光电变换装置的变换效率，因此本专利中权利要求1要求保护的层积型光电变换装置在说明书中没有充分公开。2、权利要求1清楚地限定了一种光电变换装置，因此没有必要对权利要求重新进行解释。

2012年6月20日，专利复审委员会进行了口头审理，双方当事人均参加了口头审理。

2012年9月27日，专利复审委员会作出第19358号无效宣告请求审查决定（简称第19358号决定）。该决定认定如下：

一、关于《专利法》第二十六条第四款

本专利权利要求1请求保护一种层积型光电变换装置，其特征在于，在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5），相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元（3）内的反向导电型层（33）和邻接该前方光电变换单元（3）配置的后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层（4），所述硅复合层（4）具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

本专利要解决的技术问题是（参见本专利说明书第6页第1-6段）：现有技术中，中间反射层使用TCO来制造集成型薄膜光电变换模块时，会产生泄漏电流，导致光电变换模块的特性低下，而为了解决该问题设置第三分离槽又会导致生产成本和时间增加的问题，同时也会使中间反射层和后方光电变换模块的界面有可能因暴露于大气而污染，也会带来有效的光电变换区域的面积损耗增加的问题。同时，现有技术中（参见本专利引用的专利文献2）非晶质氧化硅层的广电导率减小，可以认为层积型光电变换装置的FF减少，变换效率降低。

为了解决上述问题，本专利说明书中记载了多个实施例，本决定中以图10涉及的实施例进行说明（参见本专利说明书第17页倒数第2段至第18页第3段、图10）。其中“在该层积型光电变换装置中，在作为透明衬底的玻璃衬底1上顺序层积透明电极层2、作为第一光电变换单元3的非晶质硅光电变换单元、一导电型（p型或n型）的硅复合层、作为第二光电变换单元5的晶质硅光电变换单元、及背面电极层6，图10中的一导电硅复合层，……，也可考虑为含于第一光电变换单元和第二光电变换单元5的某一单元的导电型（p型或n型）层的一部分。……光电变换单元含有一导电型层，实质上本真半导体的i型光电变换层、及反向导电型层，……，故在图10的结构中，通常一导电型层31、51为P型层，反向导电型层33、53为n型层。i型层32、52用于吸收光并进行光电变换”。

经过比较本专利权利要求1与说明书中记载的实施例可知，权利要求1的技术方案相对说明书的技术方案中，在层积光电变换单元前，权利要求1的技术方案中还层积了一导电型层、实质本征半导体层。这样的区别导致本专利权利要求1中的发光单元无法有效地形成常规的PIN结构或者PN结构以有效地产生光电转换，从而与说明书中实施例记载的方案有实质的不同。虽然本领域技术人员结合本专利说明书中的实施例和本领域的公知常识可能将权利要求1中的光电变换单元理解为包括一导电型层、实质本征半导体的光电变换层和反向导电形成，但是，在这种情况下权利要求1中的结构仍然是在常规的光电变换单元（即本专利说明书实施例中的变换单元，PIN结构）外增加了一导电型层、实质本征半导体层，无法有效地进行光电转换以解决本专利要解决的技术问题。因此，本专利权利要求1的技术方案无法根据说明书得到或者概括得出，权利要求1不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

权利要求2-10直接或间接引用权利要求1，其附加技术特征的限定并未克服权利要求1中存在的上述缺陷，因此权利要求2-10也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

权利要求11、13请求保护一种用于制造如权利要求1所述的层积型光电变换装置的制造方法，权利要求12引用权利要求11，由于权利要求11-13中的方法中涉及的光电变换装置如权利要求1中所述，包括特征“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5），相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元（3）内的反向导电型层（33）和邻接该前方光电变换单元（3）配置的后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层（4）”，基于与权利要求1的评述中相同的理由，权利要求11-13中的制造方法无法解决本专利要解决的技术问题，因此，本专利权利要求11-13的技术方案无法根据说明书得到或者概括得出，权利要求11-13也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

权利要求14请求保护一种集成型光电变换模块，该权利要求中也存在与权利要求1中相同的缺陷，基于与权利要求1相同的理由，权利要求14也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

权利要求15引用权利要求14，其附加技术特征的限定并未克服权利要求14中存在的上述缺陷，因此权利要求15也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

二、关于株式会社钟化陈述的意见

关于株式会社钟化陈述的意见，第一，结合本专利说明书及其附图，无论本领域技术人员是否能从本专利说明书中直接确定光电变换单元包括导电型层、实质本征半导体的光电变换层和反向导电型层，或者本领域技术人员是否可以确定光电变换单元包括这三个层属于本领域的公知常识，本专利权利要求1中的记载限定了一导电型层、实质本征半导体层是在光电变换单元之前层积的，换句话说，权利要求1中在光电变换单元之前除了衬底和电极外还包括一导电型层、实质本征半导体层，而本专利说明书的实施例中在光电变换单元之前仅有衬底和电极，从而导致权利要求1和说明书记载的所有实施例有实质的区别，导致权利要求1无法有效地进行光电转换，以解决本专利要解决的技术问题。因此，本专利权利要求1的技术方案无法根据说明书得到或者概括得出，从而权利要求1不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。第二，光电变换单元的标记为3、5，导电型层标为31、51，实质本征半导体的光电变换层标为32、52，反向导电型层标为33、53，仅仅根据权利要求1中的上述标记，本领域技术人员无法确定导电型层31、实质本征半导体的光电变换层32、反向导电型层33为光电变换单元3的组成部分，一导电型层51、实质本征半导体的光电变换层52、反向导电型层53为光电变换单元5的组成部分。另外，根据2002年修正的《中华人民共和国专利法实施细则》（简称《专利法实施细则》）的相关规定，附图标记不得解释为对权利要求保护范围的限制，株式会社钟化的上述解释方式明显是通过对附图标记进行数字规律的解读从而限定了光电变换单元的组成部分，这是不能成立的。

综上所述，本专利权利要求1-15不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，应予宣告无效。鉴于此，对于叶*提出的其他无效理由不再予以评述。

基于上述事实和理由，专利复审委员会作出第19358号决定，宣告本专利权全部无效。

株式会社钟化不服第19358号决定，依法向北京**人民法院提起诉讼。

另查明，本专利为国际申请PCT／JP2004／010115进入中国国家阶段的申请。在该国际申请的国际公开文本中，权利要求1的相关内容中文译文为“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积含有一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”。

上述事实有第19358号决定、本专利授权公告文本及说明书、PCT／JP2004／010115国际公开文本及当事人陈述等证据在案佐证。

一审法院认为

北京**人民法院认为：本案的审理应适用2000年修正的《专利法》和2002年修正的《专利法实施细则》。本案的争议焦点是，本专利权利要求书是否以说明书为依据，是否违反《专利法》第二十六条第四款的规定。

判断一项权利要求能否得到说明书的支持，首先需要确定权利要求所保护的技术方案。由于语言表达的局限性以及撰写和代理水平的客观限制，权利要求书在撰写过程中难免出现用词不够严谨或者表达不够准确等缺陷。对于存在明显撰写错误的权利要求，本领域技术人员进行更正性理解后，如果其要求保护的技术方案能够从说明书充分公开的内容得到或者概括得出，没有超出说明书公开的范围，则应当认定该权利要求得到了说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

根据本专利权利要求1的记载，其请求保护一种层积型光电变换装置，特征在于，在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5），相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元（3）内的反向导电型层（33）和邻接该前方光电变换单元（3）配置的后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层（4），所述硅复合层（4）具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。首先，根据权利要求1中“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”的记载可知，“一导电型层（31、51）”系与“多个光电变换单元（3、5）”并列的单元结构，前者并不包含在后者内，而权利要求1中还记载“后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）”，这表明“一导电型层（51）”属于“后方光电变换单元（5）”，而不是并列的单元结构。由于权利要求1中记载的技术特征存在以上明显矛盾，本领域技术人员在阅读权利要求后能够立即发现关于光电变换单元的单元结构关系存在错误，必将进一步阅读本专利说明书及附图，并借助其中相关记载来对权利要求1本身作出解释。其次，根据本专利说明书背景技术部分的记载，在层积型光电变换装置中，现有技术为在前后两个光电变换单元之间设置TCO中间反射层，但会产生制造成本升高的问题。在基于具有中间反射层的结构形成集成型光电变换模块时，需要设置第一分离槽、第二分离槽、连接槽，但会产生泄漏电流，导致光电变换模块的特性低下的问题，而为了解决该问题设置第三分离槽又会导致生产成本和时间的增加，同时也会使中间反射层和后方光电变换模块的界面有可能因暴露于大气而污染，也会带来有效的光电变换区域的面积损耗增加的问题。为解决该技术问题，本专利在两个光电变换单元之间设置硅复合层，取代现有技术中的中间反射层，该硅复合层可降低层积型光电变换装置的生产成本和时间，避免因设置第三分离槽造成的光电变换效率的降低（参见本专利说明书第8页第6段-第9页第1段）。因此，本专利的“发明点”在于在两个光电变换单元之间设置硅复合层，而至于该硅复合层两侧的光电变换单元，则为通常的PIN结构。这一点，通过本专利说明书背景技术部分“薄膜光电变换装置通常表面上含有在绝缘性衬底上顺序层积的第一电极、一个以上半导体薄膜光电变换单元、及第二电极。而且，一个薄膜光电变换单元含有由p型层和n型层形成层状结构的i型层”的记载，也得到验证。也即，PIN结构的光电变换单元系本领域的公知常识，本专利无意对现有的PIN结构光电变换单元作出改进。再次，对照本专利说明书中附图10，“一导电型层（31、51）”包含在“光电变换单元（3、5）”内，“光电变换单元（3、5）”包含“一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）”，即该“光电变换单元（3、5）”为通常的PIN结构。基于上述几点，本领域技术人员在阅读权利要求1中撰写的技术方案时，能够清楚准确地得出正确的解释，即将光电变换单元理解为包含一导电型层、实质本征半导体的光电变换层和反向导电型层，并认为权利要求1中“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”的记载系撰写错误，进而会将其更正性地理解为“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积含有一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”，这也与说明书中公开的内容一致。此外，在PCT／JP2004／010115国际公开文本中，权利要求1的相关内容中文译文为“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积含有一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”，这也可印证本专利权利要求1系存在撰写错误。

在对本专利权利要求1记载的技术方案作更正性理解后，其与说明书附图10中的技术方案是一致的。据此，专利复审委员会仅依据本专利权利要求1存在文字错误的撰写内容就“将错就错”式地得出其无法根据说明书得到或者概括得出的结论过于机械，其关于本专利权利要求1不符合《专利法》第二十六条第四款的规定的认定有误，予以纠正。在此基础上，专利复审委员会关于本专利其他权利要求均不符合《专利法》第二十六条第四款的规定亦不正确，一并予以纠正。

综上，专利复审委员会作出的第19358号决定认定事实不清，适用法律错误，依法予以撤销。

北京**人民法院根据《中华人民共和国行政诉讼法》第五十四条第（二）项第1目、第2目之规定，判决：一、撤销专利复审委员会作出的第19358号决定；二、专利复审委员会重新作出审查决定。

上诉人诉称

叶*不服原审判决，向本院提出上诉，请求撤销原审判决，维持第19358号决定，由株式会社钟化承担本案全部诉讼费用。其主要上诉理由是：一、原审法院认定本专利权利要求1的记载存在明显矛盾是错误的，权利要求1并不存在矛盾之处，所限定的技术方案完全能够实现，本领域技术人员在阅读权利要求之后根本不会认为其存在错误，故无需借助说明书来澄清权利要求中的错误。二、原审法院认为“必须结合说明书及其附图才能正确解释权利要求”，这是对《专利法》第56条规定以及权利要求书与说明书之间关系的曲解。在权利要求书清楚地限定了技术方案并且没有明显错误的情况下，不能用说明书来解释、修正权利要求书表达的技术含义。三、原审法院认为PCT专利的国际公开文本可以用于印证本专利权利要求的撰写存在错误，这一认定系对PCT专利国际公开文本的法律效力的错误认定。

专利复审委员会、株式会社钟化服从原审判决。

本院查明

本院经审理查明的事实与原审法院查明的事实一致。

本院认为

本院认为：本案二审争议焦点是本专利权利要求是否得到说明书的支持。

《专利法》第二十六条第四款的规定，权利要求书应当以说明书为依据，说明要求专利保护的范围。

权利要求书应当以说明书为依据，是指权利要求应当得到说明书的支持。权利要求所要求保护的技术方案应当是本领域技术人员能够从说明书充分公开的内容中得到或概括得出的技术方案，并且不得超出说明书公开的范围。由于语言表达的局限性以及撰写和代理水平的客观限制，权利要求书在撰写过程中难免出现用词不够严谨或者表达不够准确等缺陷。尤其是对于进入中国国家阶段的国际申请，甚至可能存在因语言表达习惯等因素而导致的误译。然而权利要求中的撰写错误并不必然导致该权利要求不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，而应当根据撰写缺陷的性质和程度进行区分。对于权利要求中存在的撰写错误，如果本领域技术人员根据其所具有的普通技术知识在阅读权利要求后能够直接、毫无疑义地确定某一技术特征存在错误，同时，该技术人员结合其具有的普通技术知识，在阅读说明书及附图的相关内容后能够得出唯一的正确答案，那么，本领域技术人员必然会以该唯一的正确解释来理解权利要求所要求保护的技术方案。也就是说，明显撰写错误的存在，并不必然会导致权利要求所要保护的技术方案边界模糊不清。因此，对于存在明显撰写错误的权利要求，本领域技术人员进行更正性理解后，如果其要求保护的技术方案能够从说明书充分公开的内容得到或者概括得出，没有超出说明书公开的范围，则应当认定该权利要求得到了说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。

判断一项权利要求能否得到说明书的支持，首先需要确定权利要求所保护的技术方案。根据《专利法》第五十六条的规定，发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求。《专利法实施细则》第二十条第四款规定，权利要求中的技术特征可以引用说明书附图中相应的标记，该标记应当放在相应的技术特征后并置于括号内，便于理解权利要求。附图标记不得解释为对权利要求的限制。

权利要求书是对说明书所表达的技术方案的抽象和概括，通过记载解决技术问题的必要技术特征的方式来描述和反映发明的技术方案，清楚、简要地表述请求保护的范围。权利要求由语言文字构成，文字作为一种符号，其意义的阐释和理解离不开具体的语境，故对权利要求的理解也要结合具体的语境进行。说明书及其附图构成权利要求的重要语境，对于正确理解权利要求的含义具有重要意义，企图脱离说明书及附图这一语境，仅凭权利要求书来理解权利要求所表达的技术含义，既不可能，也不客观。在这一意义上，说明书乃权利要求之母，只有参考说明书及其附图，才能正确理解权利要求及其用语的含义。**认为权利要求本身清楚时无需借助说明书来解释权利要求的观点，系对权利要求书和说明书之间关系的错误理解，本院不予支持。

根据本专利权利要求1的记载，其请求保护一种层积型光电变换装置，特征在于，在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5），相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元（3）内的反向导电型层（33）和邻接该前方光电变换单元（3）配置的后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层（4），所述硅复合层（4）具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。

首先，根据权利要求1中“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”的记载可知，“一导电型层（31、51）”系与“多个光电变换单元（3、5）”并列的单元结构，前者并不包含在后者内，而权利要求1中还记载“后方光电变换单元（5）内的所述一导电型层（51）”，这表明“一导电型层（51）”属于“后方光电变换单元（5）”，而不是并列的单元结构。由于权利要求1中记载的技术特征存在以上明显矛盾，本领域技术人员在阅读权利要求后能够立即发现关于光电变换单元的单元结构关系存在错误，必将进一步阅读本专利说明书及附图，并借助其中相关记载来对权利要求1本身作出解释。

其次，根据本专利说明书背景技术部分的记载，在层积型光电变换装置中，现有技术为在前后两个光电变换单元之间设置TCO中间反射层，但会产生制造成本升高的问题。在基于具有中间反射层的结构形成集成型光电变换模块时，需要设置第一分离槽、第二分离槽、连接槽，但会产生泄漏电流，导致光电变换模块的特性低下的问题，而为了解决该问题设置第三分离槽又会导致生产成本和时间的增加，同时也会使中间反射层和后方光电变换模块的界面有可能因暴露于大气而污染，也会带来有效的光电变换区域的面积损耗增加的问题。为解决该技术问题，本专利在两个光电变换单元之间设置硅复合层，取代现有技术中的中间反射层，该硅复合层可降低层积型光电变换装置的生产成本和时间，避免因设置第三分离槽造成的光电变换效率的降低（参见本专利说明书第8页第6段-第9页第1段）。因此，本专利的“发明点”在于在两个光电变换单元之间设置硅复合层，而至于该硅复合层两侧的光电变换单元，则为通常的PIN结构。这一点，通过本专利说明书背景技术部分“薄膜光电变换装置通常表面上含有在绝缘性衬底上顺序层积的第一电极、一个以上半导体薄膜光电变换单元、及第二电极。而且，一个薄膜光电变换单元含有由p型层和n型层形成层状结构的i型层”的记载，也得到验证。也即，PIN结构的光电变换单元系本领域的公知常识，本专利无意对现有的PIN结构光电变换单元作出改进。

再次，对照本专利说明书中附图10，“一导电型层（31、51）”包含在“光电变换单元（3、5）”内，“光电变换单元（3、5）”包含“一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）”，即该“光电变换单元（3、5）”为通常的PIN结构。

基于上述几点，尽管本专利的撰写有可能使得一般读者根据阅读习惯，误认为“一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）”是独立于“含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”之外的层状结构，但是，对层状结构的理解主体是本领域的技术人员，而非不具有本领域普通知识的一般读者。本领域技术人员在阅读权利要求1中撰写的技术方案时，能够清楚准确地得出正确的解释，即将光电变换单元理解为包含一导电型层、实质本征半导体的光电变换层和反向导电型层，并认为权利要求1中“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”的记载系撰写错误，进而会将其更正性地理解为“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积含有一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”，这也与说明书中公开的内容一致。

此外，权利要求的解释资料包括PCT专利国际公开文本，在本专利相对应的PCT／JP2004／010115国际公开文本中，权利要求1的相关内容中文译文为“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积含有一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”，这可以印证本专利权利要求1系存在撰写错误。原审法院以PCT国际公开文本来佐证本专利权利要求中存在文字撰写错误并无不妥，叶*否认PCT国际公开文本对国内申请文本的解释作用的上诉主张不能成立，本院不予支持。

综上，权利要求1的文字记载存在明显的错误，本领域技术人员在看到权利要求1时能够立即发现其中的错误，并通过阅读说明书及附图来确定权利要求1所真正要保护的技术方案。叶*关于权利要求1的文字记载不存在明显错误的上诉主张不能成立，本院不予支持。

由于权利要求1存在明显的文字记载错误，本领域技术人员结合说明书及附图，能够将本专利权利要求1中的“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及含有反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”更正性地理解为“在衬底（1）上从光入射侧顺序层积含有一导电型层（31、51）、实质本征半导体的光电变换层（32、52）及反向导电型层（33、53）的多个光电变换单元（3、5）”。在此基础上，本专利权利要求1记载的技术方案与说明书附图10中的技术方案是一致的，权利要求1能够得到说明书的支持。专利复审委员会仅依据本专利权利要求1的错误文字记载就机械地得出其无法根据说明书得到或者概括得出的结论是错误的。在此基础上，专利复审委员会认定权利要求1的从属权利要求也得不到说明书的支持亦属错误。原审法院一并予以纠正并无不当，本院予以支持。

综上所述，原审判决认定事实清楚，适用法律正确，程序合法，应予维持。叶洋的上诉理由缺乏事实和法律依据，不能成立，其上诉请求本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十一条第（一）项之规定，判决如下：

二审裁判结果

驳回上诉，维持原判。

一审案件受理费人民币一百元，由中华人民共**利复审委员会负担（于本判决生效之日起七日内交纳）；二审案件受理费人民币一百元，由叶*负担（已交纳）；

本判决为终审判决。

裁判日期

二〇一四年十二月十九日